台式電腦快閃記憶體會有數據嗎

㈠ 快閃記憶體是什麼如果電腦沒有快閃記憶體會怎麼樣

就快閃記憶體是基於USB介面和FlashMemo■ry快閃記憶體晶元存儲介質、無需驅動器的存儲器，具有無驅動、速度快、體積小、兼容性好、攜帶方便、容量大、壽命長等優點。

快閃記憶體以普及的USB介面作為與計算機溝通的橋梁，並且最高可達到2GB的儲存空間。即插即用的功能使得計算機可以自動偵測到此裝置，使用者只需將它插入計算機USB介面就可以使用，就像一般抽取式磁碟裝置，讀寫檔案、復制及刪除方法與一般操作方式完全相同。

㈡ 二手台式電腦內存條會染上病毒嗎

您好：

二手電筒腦很多時候來說都是帶有病毒倒不是主要的原因，畢竟病毒是可以查殺掉的，而且因為是二手的，所以硬碟里壞道是不是很多和內存顯卡緩存中是否有木馬病毒是主要的檢查對象，還有處理器是不是做過超頻，硅脂是否風乾等等也建議您在購買的時候多多留意，然後建議您使用騰訊電腦管家保護您的電腦的安全，您可以點擊這里下載最新版本的騰訊電腦管家：騰訊電腦管家下載

騰訊電腦管家企業平台：http://..com/c/guanjia/

㈢ 對電腦不是特別在行，想問一下，換了一個固態硬碟後，電腦內的數據是否還在，會有什麼變化

固態硬碟存儲了數據，放著10年以上不用，數據會丟失。

為什麼會丟失數據

快閃記憶體（NAND）的數據存儲是把電子禁錮在柵極里，實際上，溫度越高，電子越活躍，越有可能跑掉一部分，時間一長，很多電子跑掉後，數據就有可能丟失。實際上JEDEC組織早已對SSD定下了標准：

即普通用戶級別的SSD在掉電的情況下，在30度室溫中需要保證1年數據不丟失。這個數據來源與一分Intel的研究報告：

在30度情況下，數據經過52周既有可能出現數據丟失。如果把溫度提高到55度，2周數據就有可能丟失。

當然這個是最低的標准，而且要求生產SSD卡的產商都要遵守的原則。實際情況會好一些。但也給我們敲響了警鍾：SSD放著不動，數據可能會丟失。

丟了數據是變1還是變0呢？

其實丟失了電子，存儲單元是變1而不是變0了。那為什麼有電子是0，沒電子是1呢？讀取的時候，需要給控制柵極加一個低的讀取電壓，對於被寫入過的快閃記憶體單元來說，被囚禁的電子可以抵消該讀取電壓，造成源極和柵極之間是處於被關閉的狀態。

如果是擦除過的就剛好相反，源極和柵極在控制柵極的低電壓作用下，處於導通狀態。

就是說通過向控制柵極加讀取電壓，判斷柵極、源極之間是否處於導通狀態來讀取快閃記憶體單元的狀態，如果被寫入過的，就處於關閉狀態，為0；而被擦除過的，就處於導通狀態，為1。

懸置柵極裡面沒有電子，就是1；如果有電子，就是0。這和擦除一樣，塊擦除了是全1，而不是全0。寫單元是從1變0的過程。空的SSD大部分是1，沒有電子；寫滿後0狀態變多了。

全變1後是不是SSD就壞掉了

固態中不僅僅存儲了用戶數據，還存儲了FTL的內容，而FTL數據對硬碟是否可用十分關鍵，它也在放置不上電過程中丟失了。那麼沒有FTL是不是SSD就不可用了呢？

實際上大部分SSD固件在發現NAND顆粒全空後會簡單重建一個空的FTL表，就像SSD初次初始化一樣。

總結

為了防止數據丟失，建議固態硬碟每個月通一次電，這樣主控晶元可以自動刷新Flash中的信息，保持住信息。

另外沒有什麼數據存儲介質是絕對的安全的，所以特別重要的數據一定要做好冗餘備份

㈣ 是不是電腦所有的數據都在硬碟里。除了硬碟還會不會有其他的東西記錄你的部分數據， 比如說電腦連接

沒有了，不會有usb記錄和硬體更換記錄。這么說吧，除了電腦在運行過程中。還會有內存和緩存記錄你的數據，但這都是在電腦運行時，關閉後就沒有了。因為電腦隨時要處理數據，如果都從硬碟來找就會很慢，所以電腦首先回去CPU的緩存裡面找，沒找到就會去內存，還沒找到最後才會去硬碟。

㈤ 電腦里的「快閃記憶體」一詞是什麼意思有什麼用途謝謝

快閃記憶體 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory製造，翻譯成中文就是"閃動的存儲器"，通常把它稱作"快閃記憶體"，簡稱"快閃記憶體"。快閃記憶體檔是一種移動存儲產品，可用於存儲任何格式數據文件便於隨身攜帶，是個人的「數據移動中心」。快閃記憶體檔採用快閃記憶體存儲介質（Flash Memory）和通用串列匯流排（USB）介面，具有輕巧精緻、使用方便、便於攜帶、容量較大、安全可靠、時尚潮流等特徵，是大家理想的便攜存儲工具.

我們常說的快閃記憶體其實只是一個籠統的稱呼，准確地說它是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM)的俗稱，特點是斷電後數據不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內存主要指DRAM，也就是我們熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。快閃記憶體也有不同類型，其中主要分為NOR型和NAND型兩大類。

快閃記憶體的分類

NOR型與NAND型快閃記憶體的區別很大，打個比方說，NOR型快閃記憶體更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一般，而且NAND型與NOR型快閃記憶體相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，手機就是使用NOR型快閃記憶體的大戶，所以手機的「內存」容量通常不大；NAND型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體檔、數碼存儲卡都是用NAND型快閃記憶體。

這里我們還需要端正一個概念，那就是快閃記憶體的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內存低得多，而且NAND型快閃記憶體類似硬碟的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為快閃記憶體檔的性能瓶頸是在介面，甚至想當然地認為快閃記憶體檔採用USB2.0介面之後會獲得巨大的性能提升。

前面提到NAND型快閃記憶體的操作方式效率低，這和它的架構設計和介面設計有關，它操作起來確實挺像硬碟(其實NAND型快閃記憶體在設計之初確實考慮了與硬碟的兼容性)，它的性能特點也很像硬碟：小數據塊操作速度很慢，而大數據塊速度就很快，這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。

NAND型快閃記憶體的技術特點

內存和NOR型快閃記憶體的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型快閃記憶體的基本存儲單元是頁(Page)(可以看到，NAND型快閃記憶體的頁就類似硬碟的扇區，硬碟的一個扇區也為512位元組)。每一頁的有效容量是512位元組的倍數。所謂的有效容量是指用於數據存儲的部分，實際上還要加上16位元組的校驗信息，因此我們可以在快閃記憶體廠商的技術資料當中看到「(512+16)Byte」的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型快閃記憶體絕大多數是(512+16)位元組的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型快閃記憶體則將頁容量擴大到(2048+64)位元組。

NAND型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數據，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。一般每個塊包含32個512位元組的頁，容量16KB；而大容量快閃記憶體採用2KB頁時，則每個塊包含64個頁，容量128KB。

每顆NAND型快閃記憶體的I/O介面一般是8條，每條數據線每次傳輸(512+16)bit信息，8條就是(512+16)×8bit，也就是前面說的512位元組。但較大容量的NAND型快閃記憶體也越來越多地採用16條I/O線的設計，如三星編號K9K1G16U0A的晶元就是64M×16bit的NAND型快閃記憶體，容量1Gb，基本數據單位是(256+8)×16bit，還是512位元組。

定址時，NAND型快閃記憶體通過8條I/O介面數據線傳輸地址信息包，每包傳送8位地址信息。由於快閃記憶體晶元容量比較大，一組8位地址只夠定址256個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，佔用若干個時鍾周期。NAND的地址信息包括列地址(頁面中的起始操作地址)、塊地址和相應的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，佔用三個周期。隨著容量的增大，地址信息會更多，需要佔用更多的時鍾周期傳輸，因此NAND型快閃記憶體的一個重要特點就是容量越大，定址時間越長。而且，由於傳送地址周期比其他存儲介質長，因此NAND型快閃記憶體比其他存儲介質更不適合大量的小容量讀寫請求。

決定NAND型快閃記憶體的因素有哪些？

1．頁數量

前面已經提到，越大容量快閃記憶體的頁越多、頁越大，定址時間越長。但這個時間的延長不是線性關系，而是一個一個的台階變化的。譬如128、256Mb的晶元需要3個周期傳送地址信號，512Mb、1Gb的需要4個周期，而2、4Gb的需要5個周期。

2．頁容量

每一頁的容量決定了一次可以傳輸的數據量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量快閃記憶體(4Gb)提高了頁的容量，從512位元組提高到2KB。頁容量的提高不但易於提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512位元組頁容量，隨機讀(穩定)時間12μs，寫時間為200μs；後者為4Gb，2KB頁容量，隨機讀(穩定)時間25μs，寫時間為300μs。假設它們工作在20MHz。

讀取性能：NAND型快閃記憶體的讀取步驟分為：發送命令和定址信息→將數據傳向頁面寄存器(隨機讀穩定時間)→數據傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2K+64次)。

K9K1G08U0M讀一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M實際讀傳輸率：512位元組÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷131.1μs=15.6MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組也容量約提高讀性能20%。

寫入性能：NAND型快閃記憶體的寫步驟分為：發送定址信息→將數據傳向頁面寄存器→發送命令信息→數據從寄存器寫入頁面。其中命令周期也是一個，我們下面將其和定址周期合並，但這兩個部分並非連續的。

K9K1G08U0M寫一個頁需要：5個命令、定址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實際寫傳輸率：512位元組÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實際寫傳輸率：2112位元組/405.9μs=5MB/s。因此，採用2KB頁容量比512位元組頁容量提高寫性能兩倍以上。

3．塊容量

塊是擦除操作的基本單位，由於每個塊的擦除時間幾乎相同(擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息佔用的時間可以忽略不計)，塊的容量將直接決定擦除性能。大容量NAND型快閃記憶體的頁容量提高，而每個塊的頁數量也有所提高，一般4Gb晶元的塊容量為2KB×64個頁=128KB，1Gb晶元的為512位元組×32個頁=16KB。可以看出，在相同時間之內，前者的擦速度為後者8倍！

4．I/O位寬

以往NAND型快閃記憶體的數據線一般為8條，不過從256Mb產品開始，就有16條數據線的產品出現了。但由於控制器等方面的原因，x16晶元實際應用的相對比較少，但將來數量上還是會呈上升趨勢的。雖然x16的晶元在傳送數據和地址信息時仍採用8位一組，佔用的周期也不變，但傳送數據時就以16位為一組，帶寬增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16晶元，它每頁仍為2KB，但結構為(1K+32)×16bit。

模仿上面的計算，我們得到如下。K9K4G16U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M寫一個頁需要：6個命令、定址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M實際寫傳輸率：2KB位元組÷353.1μs=5.8MB/s

可以看到，相同容量的晶元，將數據線增加到16條後，讀性能提高近70%，寫性能也提高16%。

5．頻率

工作頻率的影響很容易理解。NAND型快閃記憶體的工作頻率在20～33MHz，頻率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M為例時，我們假設頻率為20MHz，如果我們將頻率提高一倍，達到40MHz，則

K9K4G08U0M讀一個頁需要：6個命令、定址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。K9K4G08U0M實際讀傳輸率：2KB位元組÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作頻率從20MHz提高到40MHz，讀性能可以提高近70%！當然，上面的例子只是為了方便計算而已。在三星實際的產品線中，可工作在較高頻率下的應是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的頻率目前可達33MHz。

6．製造工藝

製造工藝可以影響晶體管的密度，也對一些操作的時間有影響。譬如前面提到的寫穩定和讀穩定時間，它們在我們的計算當中佔去了時間的重要部分，尤其是寫入時。如果能夠降低這些時間，就可以進一步提高性能。90nm的製造工藝能夠改進性能嗎？答案恐怕是否！目前的實際情況是，隨著存儲密度的提高，需要的讀、寫穩定時間是呈現上升趨勢的。前面的計算所舉的例子中就體現了這種趨勢，否則4Gb晶元的性能提升更加明顯。

綜合來看，大容量的NAND型快閃記憶體晶元雖然定址、操作時間會略長，但隨著頁容量的提高，有效傳輸率還是會大一些，大容量的晶元符合市場對容量、成本和性能的需求趨勢。而增加數據線和提高頻率，則是提高性能的最有效途徑，但由於命令、地址信息佔用操作周期，以及一些固定操作時間(如信號穩定時間等)等工藝、物理因素的影響，它們不會帶來同比的性能提升。

1Page=(2K+64)Bytes；1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes；1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits

其中：A0～11對頁內進行定址，可以被理解為「列地址」。

A12～29對頁進行定址，可以被理解為「行地址」。為了方便，「列地址」和「行地址」分為兩組傳輸，而不是將它們直接組合起來一個大組。因此每組在最後一個周期會有若干數據線無信息傳輸。沒有利用的數據線保持低電平。NAND型快閃記憶體所謂的「行地址」和「列地址」不是我們在DRAM、SRAM中所熟悉的定義，只是一種相對方便的表達方式而已。為了便於理解，我們可以將上面三維的NAND型快閃記憶體晶元架構圖在垂直方向做一個剖面，在這個剖面中套用二維的「行」、「列」概念就比較直觀了。

㈥ 台式電腦系統內存和軟體內存有什麼區

台式電腦的內存條是運行內存，台式電腦的機身內存是硬碟。內存條的容量一般是4G、8G、16G和32G等，而硬碟的容量一般是500G、1T、2T、4T和8T等，所以內存條滿足不了作為機身內存的大容量需求，只能作為運行內存。

多加條內存後軟體運行是會變快的。內存條是與CPU直接交換數據的內部存儲器，它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲介質。因為軟體運行所需要的的數據要先調入內存條，所以加條內存後，可以調入更多的數據，減少了CPU的等待時間，軟體運行加快。

(6)台式電腦快閃記憶體會有數據嗎擴展閱讀

內存條的特點：

1、對靜電敏感

隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。

2、隨機存取

當存儲器中的數據被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。

3、訪問速度

現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機械運作的存儲設備相比要快得多。

4、需要刷新（再生）

刷新是指定期讀取電容器的狀態，然後按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。

㈦ 內存在電腦斷電後里邊的數據還有嗎

內存（RAM）是 Random Access Memory意思是隨機存取記憶體
它相當於PC機上的移動存儲，用來存儲和保存數據的。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統或其他正在運行程序的臨時存儲介質（可稱作系統內存）。
不過，當電源關閉時RAM不能保留數據，如果需要保存數據，就必須把它們寫入到一個長期的存儲器中（例如硬碟）。正因為如此，有時也將RAM稱作「可變存儲器」。RAM內存可以進一步分為靜態RAM（SRAM）和動態內存（DRAM）兩大類。DRAM由於具有較低的單位容量價格，所以被大量的採用作為系統的主記憶。

㈧ 電腦內存，快閃記憶體，硬碟的區別。筆記本和台式一樣嗎

內存是電腦運行程序的時候進行數據交換的地方，斷電不保存數據。
快閃記憶體和硬碟可以簡單理解為存儲數據的東西，斷電可保存數據。
筆記本和台式機是一樣的。。但同等配置的台式機比筆記本運行速度快。。

㈨ 電腦內有快閃記憶體嗎

U盤 MP3 SD卡 CF等移動存儲設備用的就是快閃記憶體晶元
快閃記憶體是用來作為移動存儲的
不同於電腦的內存（RAM）它在離電的情況下可以保持數據的記錄
快閃記憶體不是電腦所必須具備的 是額外的移動存儲常用到的而已

㈩ 內存和快閃記憶體的區別是什麼

1、性質不同

快閃記憶體，一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。內存為計算機中重要的部件之一，它是外存與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。

2、作用不同

內存(Memory)也被稱為內存儲器和主存儲器，用於暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬碟等外部存儲器交換的數據。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數據調到內存中進行運算，當運算完成後CPU再將結果傳送出來，內存的運行也決定了計算機的穩定運行。

快閃記憶體主要用於一般性數據存儲，以及在計算機與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EPROM。

3、特點不同

內存一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），以及高速緩存（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。（synchronous）SDRAM同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的內存。

SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期，以相同的速度同步工作，每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO內存提高50%。

DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

快閃記憶體檔可用來在電腦之間交換數據。從容量上講，快閃記憶體檔的容量從16MB到64GB可選，突破了軟碟機1.44MB的局限性。從讀寫速度上講，快閃記憶體檔採用USB介面，讀寫速度比軟盤高許多。從穩定性上講，快閃記憶體檔沒有機械讀寫裝置，避免了移動硬碟容易碰傷、跌落等原因造成的損壞。

部分款式快閃記憶體檔具有加密等功能，令用戶使用更具個性化。快閃記憶體檔外形小巧，更易於攜帶。且採用支持熱插拔的USB介面，使用非常方便。