multisim有源二端網路在哪裡

⑴ multisim大神信號輸入輸出端和電源用什麼表示啊，在哪裡找

有兩種方法： 一、定數等分（DIVIDE），在命令欄中輸入快捷鍵DIV回車後，選擇圓對象空格，再輸入要等分成多少段即可。此時無法顯示出等分的效果，那是因為此時點的形式還是默認時的實心小圓點狀。故只需將點的形式設置下就能顯示出效果。

⑵ multisim10版或者11版input和ouput在哪裡找不到啊

是連接端子吧？那隻是個網路標號，一般就用第一個，但不像有些電路的輸入輸出端子是圓的。

⑶ multisim 里運算放大器在哪裡

1、打開multisim。

(3)multisim有源二端網路在哪裡擴展閱讀

運算放大器是差分輸入、單端輸出的極高增益放大器，常用於高精度模擬電路，因此必須精確測量其性能。但在開環測量中，其開環增益可能高達107或更高，而拾取、雜散電流或塞貝克（熱電偶）效應可能會在放大器輸入端產生非常小的電壓，這樣誤差將難以避免。

通過使用伺服環路，可以大大簡化測量過程，強制放大器輸入調零，使得待測放大器能夠測量自身的誤差。顯示了一個運用該原理的多功能電路，它利用一個輔助運放作為積分器，來建立一個具有極高直流開環增益的穩定環路。開關為執行各種測試提供了便利。

⑷ 關於multisim 的網路分析儀

S21：2對1的跨導；
S11：1的電導；
S12：1對2的跨導；
S22：2的電導；

這些電導的實部與虛部決定了波特特性。

建議看看《電路原理》之二埠網路的知識。

⑸ multisim中信號合成在哪裡

在place source 的CONTROL_FUNCTION_BLOCKS的有一個：VOLTAGE_SUMMER；

如下所示：

希望能幫到你

⑹ 請問接線端子在multisim中怎樣可以找到

1、首先，打開Multisim並默認生成電路圖Design1，如下圖所示，然後進入下一步。

⑺ 大一電路分析，用multisim 做電路模擬圖，受控源哪裡怎麼弄呀

首先把R1兩端的線路命名，比如上面是net1，下面是net2；然後在圖中「電壓值」框中輸入表達式，用V(net1)-V(net2)來表示R1兩端的電壓，比如10*（V(net1)-V(net2)）；

那麼受控源輸出的電壓就是U（受控源）= 10*u(r1)。其實Multisim裡面的受控源有更簡單的元件：Voltage-Controlled Voltage-Source和Current-Controlled Voltage-Source，好用但功能不如ABM電源強大。

說明：

Multisim是Interactive Image Technologies (Electronics Workbench）公司推出的以Windows為基礎的模擬工具，適用於板級的模擬/數字電路板的設計工作。它包含了電路原理圖的圖形輸入、電路硬體描述語言輸入方式，具有豐富的模擬分析能力。

為適應不同的應用場合，Multisim推出了許多版本，用戶可以根據自己的需要加以選擇。在本書中將以教育版為演示軟體，結合教學的實際需要，簡要地介紹該軟體的概況和使用方法，並給出幾個應用實例。

以上內容參考：網路-multisim

⑻ 三極體基本放大電路的工作原理,並畫出三中種共極接法

一．實驗目的1．對晶體三極體(3DG6、9013)、場效應管（3DJ6G）進行實物識別，了解它們的命名方法和主要技術指標。2．學慣用數字萬用表、模擬萬用表對三極體進行測試的方法。3．用圖3-10提供的電路，對三極體的β值進行測試。4．學習共射、共集電極（*）、共基極放大電路靜態工作點的測量與調整，以及參數選取方法，研究靜態工作點對放大電路動態性能的影響。5．學習放大電路動態參數（電壓放大倍數、輸入電阻、輸出電阻、最大不失真輸出電壓）的測量方法。6.調節CE電路相關參數，用示波器觀測輸出波形，對飽和失真和截止失真的情況進行研究。7．用Multisim軟體完成對共射極、共集電極、共基極放大電路性能的分析，學習放大電路靜態工作點的測試及調整方法，觀察測定電路參數變化對放大電路的靜態工作點、電壓放大倍數及輸出電壓波形的影響。加深對共射極、共集電極、共基極基本放大電路放大特性的理解。二．知識要點1．半導體三極體半導體三極體是組成放大電路的核心器件，是集成電路的組成元件，在電路中主要用於電流放大、開關控制或與其他元器件組成特殊電路等。半導體三極體的種類較多，按製造材料不同有硅管、鍺管、砷化鎵管、磷化鎵管等；按極性不同有NPN型和PNP型；按工作頻率不同有低頻管、高頻管及超高頻管等；按用途不同有普通管、高頻管、開關管、復合管等。其功耗大於1W的屬於大功率管，小於1W的屬於小功率管。半導體三極體的參數主要有電流放大倍數β、極間反向電流ICEO、極限參數（如最高工作電壓VCEM、集電極最大工作電流ICM、最高結溫TjM、集電極最大功耗PCM）以及頻率特性參數等。有關三極體命名、類型以及參數等可查閱相關器件手冊。下面給出幾種常用三極體的參數舉例如表3-01所示：表3-01幾種常用三極體的參數參數PCM(mW）ICM(mA)VBRCBO(V)ICBO(μAhFEfT(MHz)極性3DG100D1002040140.01NPN3DG200A10020150.125~2700.01NPNCS9013H400500250.5144150NPNCS9012H600500250.5144150PNP參數VP(V)IDSSgm(mA/V)PDM(mW)rGS（Ω）fM3DJ6G-93~6.5110010830N溝道2．半導體三極體的識別與檢測半導體三極體的類型有NPN型和PNP型兩種。可根據管子外殼標注的型號來判別是NPN型，還是PNP型。在半導體三極體型號命名中，第二部分字母A、C表示PNP型管；B、D表示NPN型管；而A、B表示鍺材料；C、D表示硅材料。另外，目前市場上廣泛使用的9011～9018系列高頻小功率9012、9015為PNP型，其餘為NPN型。半導體三極體的型號和命名方法，與半導體二極體的型號及命名方法相同，詳見康華光第四版P44頁附錄或者參考有關手冊。(1)三極體的電極和類型判別1)直觀辨識法。半導體三極體有基極(B)、集電極(C)和發射極(E)三個電極，如圖3-11所示，常用三極體電極排列有E-B-C、B-C-E、C-B-E、E-C-B等多種形式。2)特徵辨識法。如圖3-01所示，有些三極體用結構特徵標識來表示某一電極。如高頻小功率管3DGl2、3DG6的外殼有一小凸起標識，該凸起標識旁引腳為發射極；金屬封裝低頻大功率管3DD301、3AD6C的外殼為集電極等。圖3-11三極體結構特徵標識極性3)萬用表歐姆檔判別法如圖3-12所示，選用指針式萬用表歐姆檔R×lkΩ檔。首先判定基極b方法：用萬用表黑表筆碰觸某一極，再用紅表筆依次碰觸另外兩個電極，並測得兩電極間阻值。若兩次測得電阻均很小(為PN結正向電阻值)，則黑表筆對應為基極且此管為NPN型；或者兩次測得電阻值均很大(為PN結反向電阻值)，但交換表筆後再用黑筆去碰觸另兩極，也測量兩次，若兩次阻值也很小，則原黑表筆對應為管子基極，且此管為PNP型。注意：指針式萬用表歐姆檔時，黑表筆則為正極，紅表筆為負極；這與（a）（b）數字式萬用表不同。圖3-12萬用表歐姆檔判別法其次，判別集電極和發射極。其基本原理是把三極體接成基本放大電路，利用測量管子的電流放大倍數值β的大小，來判定集電極和發射極。以NPN管為例說明，如圖3-12b所示，基極確定後，不管基極，用萬用表兩表筆分別接另兩電極，用100kΩ的電阻一端接基極，電阻的另一端接萬用表黑表筆，若表針偏轉角度較大，則黑表筆對應為集電極，紅表筆對應為發射極。也可用手捏住基極與黑表筆(但不能使兩者相碰)，以人體電阻代替l00kΩ電阻的作用(對於PNP型，手捏紅表筆與基極)。上面這種方法，實質上是把三極體接成了正向偏置狀態，若極性正確，則集電極有較大電流。(2)硅管、鍺管的判別根據硅材料PN結正向電阻較鍺材料大的特點，可用萬用表歐姆R×1kΩ檔測定，若測得PN結正向阻值約為3～l0kΩ，則為硅材料管；若測得正向阻值約為50～1kΩ，則為鍺材料管。或測量發射結(集電結)反向電阻值，若測得反向阻值約為500kΩ，則為硅材料管；若測得反向阻值約為100kΩ，則為鍺材料管。3．三極體場效應管放大電路共射極放大電路既有電流放大作用，又有電壓放大作用，故常用於小信號的放大。改變電路的靜態工作點，可調節電路的電壓放大倍數。而電路工作點的調整，主要是通過改變電路參數(Rb、Rc)來實現。(負載電阻RL的變化不影響電路的靜態工作點，只改變電路的電壓放大倍數。)該電路信號從基極輸入，從集電極輸出。輸入電阻與相同材料的二極體正向偏置電阻相當，輸出電阻較高，適用於多級放大電路的中間級。共集電極放大電路信號由晶體管基極輸入，發射極輸出。由於其電壓放大倍數Av接近於l，輸出電壓具有隨輸入電壓變化的特性，故又稱為射極跟隨器。該電路輸入電阻高，輸出電阻低，適用於多級放大電路的輸入級、輸出級，還可以作為中間阻抗變換級。共基極放大電路信號由晶體管發射極輸入，集電極輸出。其電流放大倍數Ai接近於1但恆小於1，(又叫電流跟隨器)，電壓放大倍數Av共射極放大器相同，且輸入電壓與輸出電壓同相。其輸入電阻低，只有共射放大電路的l／(1+β)倍，輸出電阻高，輸入端與輸出端之間沒有密勒電容，電路頻率特性好，適用於寬頻放大電路。下面以圖3-13基本共射放大電路為例進行說明。(1)放大電路靜態工作點的測量和調試由於電子元件性能的分散性很大，在製作晶體三極體放大電路時，離不開測量和調試技術。在完成設計和裝配之後，還必須測量和調試放大電路的靜態工作點及各項指標。一個優質的放大電路，一個最終的產品，一定是理論計算與實驗調試相結合的產物。因此，除了熟悉放大電路的理論設計外，還必須掌握必要的測量和調試技術。放大電路的測量和調試主要包括放大電路靜態工作點的測量和調試、放大電路圖3-13基本共射放大電路（固定偏置式）各項動態指標的測量和調試、消除放大電路的干擾和自激等。在進行測試之前，務必先檢查三極體的好壞，並確定具體的β值。1)靜態工作點Q的測量放大電路靜態工作點的測量是在不加輸入信號(即VI=0)的情況下進行的。靜態工作點的測量是指三極體直流電壓VBEQ、VCEQ和電流ICQ的測量。應選用合適的直流電壓表和直流毫安表，分別測量三極體直流電壓VBEQ、VCEQ和ICQ。為了避免更改接線，採用電壓測量法來換算電流。例如，只要測出實際的Rb、RC的阻值，即可由；；（或）提示：在測量各電極的電位時最好選用內阻較高的萬用表，否則必須考慮到萬用表內阻對被測電路的影響。2)靜態工作點的調整測量靜態工作點ICQ和VCEQ的目的是了解靜態工作點的設置是否合適。若測出VCEQ<0.5V，則說明三極體已進入飽和狀態；如果VCE≈VCC，則說明三極體工作在截止狀態。對於一個放大雙極性信號(交流信號)的放大電路來說，這兩種情況下的靜態偏置都不能使電路正常工作，需要對靜態工作點進行調整。如果是出現測量值與選定的靜態工作點不一致，也需要對靜態工作點進行調整。否則，放大後的信號將出現嚴重的非線性失真和錯誤。通常，VCC、Rc都已事先選定，當需要調整工作點時，一般都是通過改變偏置電阻Rb來實現。應當注意的是．如果偏置電阻Rb選用的是電位器，在調整靜態工作點時，若不慎將電位器阻值調整過小(或過大)，則會使IC過大而燒壞管子，所以應該用一隻固定電阻與電位器串聯使用。圖3-18電路中是用Rb1和電位器Rb2串聯構成Rb。2．放大電路的動態指標測試放大電路的主要指標有電壓放大倍數Av、輸入電阻Ri、輸出電阻Ro,以及最大不失真輸出電壓VO(max)等。在進行動態測試時，各電子儀器與被測電路的連接如圖3-14所示。實驗電路則如後面的圖3-18所示。圖3-14實驗電路與各測試儀器的連接提示：為防止干擾，各儀器的公共接地端與被測電路的公共接地端應連在一起。同時，信號源、毫伏表和示波器的信號線通常都採用屏蔽線，而直流電源VCC的正、負電源線可只需普通導線即可。(1)電壓放大倍數Av的測量輸入信號選用1KHz、約5mV的正弦交流信號，用示波器觀察放大電路輸出電壓VO的波形，在輸出信號沒有明顯失真的情況下，用毫伏表測得VO和VI，於是可得。(2)最大不失真輸出電壓的測量放大電路的線性工作范圍與三極體的靜態工作點位置有關。當ICQ偏小時，放大電路容易產生截止失真；而ICQ偏大時，則容易產生飽和失真。需要指出的是，當ICQ增大時，VO波形的飽和失真比較明顯，波形下端出現「削底」，如圖3-15a所示。而當ICQ減小時，VO波形將出現截止失真，如圖3-15b所示，波形上端出現「削頂」。（a）（b）（c）當放大電路的靜態工作點調圖3-15靜態工作點對輸出電壓Vo波形的影響整在三極體線性工作范圍的(a)VO易出現飽和失真(b)VO易出現截止失真中心位置時，若輸入信號(c)VO波形上下半周同時出現失真VI過大，VO的波形也會出現失真，上下同時出現「削頂」和「削頂」失真，如圖3-15(c)所示。此時，用毫伏表測出VO的幅度，即為放大電路的最大不失真輸出電壓Vo（max）。(3)輸入電阻Ri的測量輸入電阻的測量電路如圖3-16所示。圖3-16測量輸入電阻的電路放大電路的輸入電阻：在放大電路的輸入端串聯一隻阻值已知的電阻RS（可取510Ω），見圖3-16所示，通過毫伏表分別測出RS兩端對地電壓，求得RS上的壓降(Vs-Vi)，則：所以有通過測量VS和Vi來間接地求出RS上的壓降，是因為RS兩端沒有電路的公共接地點。若用一端接地的毫伏表測量，會引入干擾信號，以致造成測量誤差。(4)輸出電阻的測量放大電路的輸出端可看成有源二端網路。如圖3-17所示。圖3-17測量輸出電阻的電路用毫伏表測出不接RL時的空載電壓Vo』和接負載RL後的輸出電壓Vo，即可間接地推算RO的大小：。(5)放大電路頻率特性的測量放大電路頻率特性是指放大電路的電壓放大倍數Av，與輸入信號頻率之間的關系。Av隨輸入信號頻率變化下降到0.707Av。時所對應的頻率定義為下限頻率和上限頻率，通頻帶為。上、下限頻率可用以下方法測量：先調節輸入信號Vi使Vi頻率為1kHz；調節Vi幅度，使輸出電壓Vo幅度為1V。保持Vi幅度不變，增大信號Vi的頻率，Vo幅度隨著下降，當Vo下降到0.707V時，對應的信號額率為上限頻率；保持Vi幅度不變，降低Vi頻率，同樣使Vo幅度下降到0.707V時，對應的信號頻率為下限頻率。(6)觀察截止失真、飽和失真兩種失真現象測量電路如圖3-18所示，在ICQ=3.0mA，RL=∞情況下，增大輸入信號，使輸出電壓保持沒有失真，然後調節電位器Rb2阻值，改變電路的靜態工作點，使電路分別產生較為明顯的截止失真與飽和失真，測出產生失真後相應的集電極靜態電流。做好相應的實驗記錄。圖3-18共射放大電路舉例圖3-19共射放大電路對應的三個模擬電路圖圖3-20共集電極放大電路舉例三．實驗內容1．查閱手冊並測試晶體三極體(3DG100D、CS9013)、場效應管（3DJ6G）的參數，記錄所查和所測數據。2．用晶體三極體3DG100D或CS9013組成如圖3-21所示單管共射極放大電路，通過改變電位器R2，使得VCE為4V，測量此時VCEQ、VBEQ、Rb的值，計算放大電路的靜態工作點Q對應的三個參數值。3．在下列兩種情況下，測量放大電路的電壓放大倍數和最大Av不失真輸出電壓VOMAX。(1)RL=R4=∞（開路）②RL=R4=10kΩ。建議：最初使用1KHz、5mV的正弦信號作為輸入信號進行測試；然後改變輸入信號的幅值，使用雙蹤顯示方式同時顯示VI與VO，進行監視，盡量選擇較大幅度的正弦信號作為放大器的VI，在保證VO波形不失真的條件下圖3-21單管共射極放大電路進行測量。（若VO波形失真，所測動態參數就毫無意義）。表3-09靜態數據記錄表實測值實測計算值VCE（V）VBE（V）Rb（KΩ）VCEQ（V）IBQ（μA）ICQ（mA）表3-10測AV的記錄表實測值理論估算值實測計算值Vi（mV）Vo（mV）AVAV4．觀察飽和失真和截止失真，並測出相應的集電極靜態電流。5．測量放大電路的輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。*6．按照圖3-10設計BJT的β測試電路，確定電路中所有元器件和輸入電壓的參數值，並對測試結果進行比較和誤差分析。圖3-10BJT的β值測試電路圖*7．測量圖3-18放大電路帶負載時的上限頻率和下限頻率。*8．實驗電路如圖3-20所示，要求模擬並實物實現電路，計算並實測電路的輸入電阻和輸出電阻。四．思考題1．Rb為什麼要由一個電位器和一個固定電阻串聯組成？2．電解電容兩端的靜態電壓方向與它的極性應該有何關系？3．如果儀器和實驗線路不共地會出現什麼情況？通過實驗說明。五．實驗報告1．按照實驗准備的要求完成設計作業一份，並估算放大電路的性能指標。2．記錄實驗中測得的有關靜態工作點和電路的Au、Vo(max)、Ri和Ro的數據。3．認真記錄和整理測試數據，按要求填入表格並畫出輸入、輸出對應的波形圖。4．對測試結果進行理論分析，找出產生誤差的原因。5．詳細記錄組裝、調試過程中發生的故障或問題，進行故障分析，並說明排除故障的過程和方法。6．寫出對本次實驗的心得體會，以及改進實驗方法的建議。提示：1．組裝電路時，不要彎曲三極體的三個電極，應當將它們垂直地插入麵包板孔內。2．先分別組裝好電路，經檢查無誤後，再打開電源開關。3．測試靜態工作點時，應關閉信號源。4．本實驗接點多，元器件多，組裝時一定要確保接觸良好，否則，會因接觸不良，出現錯誤或造成電路故障。

⑼ multisim中的匯流排是怎麼用的

1、首先打開multisim軟體後，先添加好所需元器件，如下圖所示。

⑽ multisim里信號發生器使用問題

multisim中，函數發生器與待測設備連接時要注意以下情況：函數發生器有三個連接端子，+連接端、-連接端，中間為Common端子。當使用+和Common端子時，輸出信號為正極性信號；當使用-和Common端子時，輸出信號為負極性信號；當使用+和-端子時輸出信號等於信號發生器的有效值的兩倍。

採用集成運放和分立元件相結合的方式，利用遲滯比較器電路產生方波信號，以及充分利用差分電路進行電路轉換，從而設計出一個能變換出三角波、正弦波、方波的簡易信號發生器。通過對電路分析，確定了元件的參數，並利用 Multisim 軟體模擬電路的理想輸出結果，克服了設計低頻信號發生器電路方面存在的技術難題，使得設計的低頻信號發生器結構簡單，實現方便。

(10)multisim有源二端網路在哪裡擴展閱讀

Multisim界面由多個區域構成：菜單欄，各種工具欄，電路輸入窗口，狀態條，列表框等。通過對各部分的操作可以實現電路圖的輸入、編輯，並根據需要對電路進行相應的觀測和分析。用戶可以通過菜單或工具欄改變主窗口的視圖內容。

通用模擬式函數信號發生器的結構，是以三角波產生電路為基礎經二極體所構成的正弦波整型電路產生正弦波，同時經由比較器的比較產生方波。如果以恆流源對電容充電，即可產生正斜率的斜波。同理，右以恆流源將儲存在電容上的電荷放電即產生負斜率的斜波。