台式电脑闪存会有数据吗

㈠ 闪存是什么如果电脑没有闪存会怎么样

就闪存是基于USB接口和FlashMemo■ry闪存芯片存储介质、无需驱动器的存储器，具有无驱动、速度快、体积小、兼容性好、携带方便、容量大、寿命长等优点。

闪存以普及的USB接口作为与计算机沟通的桥梁，并且最高可达到2GB的储存空间。即插即用的功能使得计算机可以自动侦测到此装置，使用者只需将它插入计算机USB接口就可以使用，就像一般抽取式磁盘装置，读写档案、复制及删除方法与一般操作方式完全相同。

㈡ 二手台式电脑内存条会染上病毒吗

您好：

二手电脑很多时候来说都是带有病毒倒不是主要的原因，毕竟病毒是可以查杀掉的，而且因为是二手的，所以硬盘里坏道是不是很多和内存显卡缓存中是否有木马病毒是主要的检查对象，还有处理器是不是做过超频，硅脂是否风干等等也建议您在购买的时候多多留意，然后建议您使用腾讯电脑管家保护您的电脑的安全，您可以点击这里下载最新版本的腾讯电脑管家：腾讯电脑管家下载

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㈢ 对电脑不是特别在行，想问一下，换了一个固态硬盘后，电脑内的数据是否还在，会有什么变化

固态硬盘存储了数据，放着10年以上不用，数据会丢失。

为什么会丢失数据

闪存（NAND）的数据存储是把电子禁锢在栅极里，实际上，温度越高，电子越活跃，越有可能跑掉一部分，时间一长，很多电子跑掉后，数据就有可能丢失。实际上JEDEC组织早已对SSD定下了标准：

即普通用户级别的SSD在掉电的情况下，在30度室温中需要保证1年数据不丢失。这个数据来源与一分Intel的研究报告：

在30度情况下，数据经过52周既有可能出现数据丢失。如果把温度提高到55度，2周数据就有可能丢失。

当然这个是最低的标准，而且要求生产SSD卡的产商都要遵守的原则。实际情况会好一些。但也给我们敲响了警钟：SSD放着不动，数据可能会丢失。

丢了数据是变1还是变0呢？

其实丢失了电子，存储单元是变1而不是变0了。那为什么有电子是0，没电子是1呢？读取的时候，需要给控制栅极加一个低的读取电压，对于被写入过的闪存单元来说，被囚禁的电子可以抵消该读取电压，造成源极和栅极之间是处于被关闭的状态。

如果是擦除过的就刚好相反，源极和栅极在控制栅极的低电压作用下，处于导通状态。

就是说通过向控制栅极加读取电压，判断栅极、源极之间是否处于导通状态来读取闪存单元的状态，如果被写入过的，就处于关闭状态，为0；而被擦除过的，就处于导通状态，为1。

悬置栅极里面没有电子，就是1；如果有电子，就是0。这和擦除一样，块擦除了是全1，而不是全0。写单元是从1变0的过程。空的SSD大部分是1，没有电子；写满后0状态变多了。

全变1后是不是SSD就坏掉了

固态中不仅仅存储了用户数据，还存储了FTL的内容，而FTL数据对硬盘是否可用十分关键，它也在放置不上电过程中丢失了。那么没有FTL是不是SSD就不可用了呢？

实际上大部分SSD固件在发现NAND颗粒全空后会简单重建一个空的FTL表，就像SSD初次初始化一样。

总结

为了防止数据丢失，建议固态硬盘每个月通一次电，这样主控芯片可以自动刷新Flash中的信息，保持住信息。

另外没有什么数据存储介质是绝对的安全的，所以特别重要的数据一定要做好冗余备份

㈣ 是不是电脑所有的数据都在硬盘里。除了硬盘还会不会有其他的东西记录你的部分数据， 比如说电脑连接

没有了，不会有usb记录和硬件更换记录。这么说吧，除了电脑在运行过程中。还会有内存和缓存记录你的数据，但这都是在电脑运行时，关闭后就没有了。因为电脑随时要处理数据，如果都从硬盘来找就会很慢，所以电脑首先回去CPU的缓存里面找，没找到就会去内存，还没找到最后才会去硬盘。

㈤ 电脑里的“闪存”一词是什么意思有什么用途谢谢

闪存 目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻译成中文就是"闪动的存储器"，通常把它称作"快闪存储器"，简称"闪存"。闪存盘是一种移动存储产品，可用于存储任何格式数据文件便于随身携带，是个人的“数据移动中心”。闪存盘采用闪存存储介质（Flash Memory）和通用串行总线（USB）接口，具有轻巧精致、使用方便、便于携带、容量较大、安全可靠、时尚潮流等特征，是大家理想的便携存储工具.

我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器(NVRAM)的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。

闪存的分类

NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。

这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。

前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。

NAND型闪存的技术特点

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。

NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。

每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输(512+16)bit信息，8条就是(512+16)×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是(256+8)×16bit，还是512字节。

寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。

决定NAND型闪存的因素有哪些？

1．页数量

前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256Mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512Mb、1Gb的需要4个周期，而2、4Gb的需要5个周期。

2．页容量

每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存(4Gb)提高了页的容量，从512字节提高到2KB。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例，前者为1Gb，512字节页容量，随机读(稳定)时间12μs，写时间为200μs；后者为4Gb，2KB页容量，随机读(稳定)时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20MHz。

读取性能：NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit，需要传送512+16或2K+64次)。

K9K1G08U0M读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M实际读传输率：512字节÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节也容量约提高读性能20%。

写入性能：NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。

K9K1G08U0M写一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M实际写传输率：512字节÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。

3．块容量

块是擦除操作的基本单位，由于每个块的擦除时间几乎相同(擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的时间可以忽略不计)，块的容量将直接决定擦除性能。大容量NAND型闪存的页容量提高，而每个块的页数量也有所提高，一般4Gb芯片的块容量为2KB×64个页=128KB，1Gb芯片的为512字节×32个页=16KB。可以看出，在相同时间之内，前者的擦速度为后者8倍！

4．I/O位宽

以往NAND型闪存的数据线一般为8条，不过从256Mb产品开始，就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片实际应用的相对比较少，但将来数量上还是会呈上升趋势的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组，占用的周期也不变，但传送数据时就以16位为一组，带宽增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每页仍为2KB，但结构为(1K+32)×16bit。

模仿上面的计算，我们得到如下。K9K4G16U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M实际读传输率：2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M实际写传输率：2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s

可以看到，相同容量的芯片，将数据线增加到16条后，读性能提高近70%，写性能也提高16%。

5．频率

工作频率的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20～33MHz，频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时，我们假设频率为20MHz，如果我们将频率提高一倍，达到40MHz，则

K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz，读性能可以提高近70%！当然，上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中，可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的频率目前可达33MHz。

6．制造工艺

制造工艺可以影响晶体管的密度，也对一些操作的时间有影响。譬如前面提到的写稳定和读稳定时间，它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分，尤其是写入时。如果能够降低这些时间，就可以进一步提高性能。90nm的制造工艺能够改进性能吗？答案恐怕是否！目前的实际情况是，随着存储密度的提高，需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。前面的计算所举的例子中就体现了这种趋势，否则4Gb芯片的性能提升更加明显。

综合来看，大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、操作时间会略长，但随着页容量的提高，有效传输率还是会大一些，大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。而增加数据线和提高频率，则是提高性能的最有效途径，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作时间(如信号稳定时间等)等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。

1Page=(2K+64)Bytes；1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes；1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits

其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”。

A12～29对页进行寻址，可以被理解为“行地址”。为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在最后一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义，只是一种相对方便的表达方式而已。为了便于理解，我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面，在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。

㈥ 台式电脑系统内存和软件内存有什么区

台式电脑的内存条是运行内存，台式电脑的机身内存是硬盘。内存条的容量一般是4G、8G、16G和32G等，而硬盘的容量一般是500G、1T、2T、4T和8T等，所以内存条满足不了作为机身内存的大容量需求，只能作为运行内存。

多加条内存后软件运行是会变快的。内存条是与CPU直接交换数据的内部存储器，它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。因为软件运行所需要的的数据要先调入内存条，所以加条内存后，可以调入更多的数据，减少了CPU的等待时间，软件运行加快。

(6)台式电脑闪存会有数据吗扩展阅读

内存条的特点：

1、对静电敏感

随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。

2、随机存取

当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。

3、访问速度

现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比要快得多。

4、需要刷新（再生）

刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。

㈦ 内存在电脑断电后里边的数据还有吗

内存（RAM）是 Random Access Memory意思是随机存取记忆体
它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作系统内存）。
不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。正因为如此，有时也将RAM称作“可变存储器”。RAM内存可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。

㈧ 电脑内存，闪存，硬盘的区别。笔记本和台式一样吗

内存是电脑运行程序的时候进行数据交换的地方，断电不保存数据。
闪存和硬盘可以简单理解为存储数据的东西，断电可保存数据。
笔记本和台式机是一样的。。但同等配置的台式机比笔记本运行速度快。。

㈨ 电脑内有闪存吗

U盘 MP3 SD卡 CF等移动存储设备用的就是闪存芯片
闪存是用来作为移动存储的
不同于电脑的内存（RAM）它在离电的情况下可以保持数据的记录
闪存不是电脑所必须具备的 是额外的移动存储常用到的而已

㈩ 内存和闪存的区别是什么

1、性质不同

闪存，一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。内存为计算机中重要的部件之一，它是外存与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。

2、作用不同

内存(Memory)也被称为内存储器和主存储器，用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。

闪存主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EPROM。

3、特点不同

内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。（synchronous）SDRAM同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。

SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。

DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。

闪存盘可用来在电脑之间交换数据。从容量上讲，闪存盘的容量从16MB到64GB可选，突破了软驱1.44MB的局限性。从读写速度上讲，闪存盘采用USB接口，读写速度比软盘高许多。从稳定性上讲，闪存盘没有机械读写装置，避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损坏。

部分款式闪存盘具有加密等功能，令用户使用更具个性化。闪存盘外形小巧，更易于携带。且采用支持热插拔的USB接口，使用非常方便。