‘壹’ 网络分析仪如何与探针台连接
网络分析仪与探针座的电缆线接头联系在一起的，是用来测产品的传输，阻抗，驻波等指标。
‘贰’ f200探针台主要测试什么参数
有条件的话使用探针台，可以到cascade的官网/cn看看。另外一个方法就是自己做夹具，将芯片焊在PCB上，然后采用TRL校准，但是对PCB工艺要求极高，国内最高水平就是26.5GHz。当然了，如果对精度要求不太高，就把芯片焊在PCB上，然后把管脚都用同轴接口引出，直接连网络仪测量。
‘叁’ 探针属于高企什么领域
一、目前八大技术领域可申请高企认定
1、电子信息
2、生物与新医药
3、航空航天
4、新材料
5、高技术服务
6、新能源与节能
7、资源与环境
8、先进制造与自动化
二、您提供的信息较少，领域不好判定，探针没有专门的领域，在申报高新企业技术认定时候通常结合企业的产品、收入来源、还有知识产权（专利、软着等）来进行判定。因没有贵公司没有提供详细的信息确定不了，大体上可以往先进制造与自动化领域操作。
‘肆’ 什么是动态热机械分析
<p>动态热机械分析</p>
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动态热机械分析（Dynamic
Thermomechanic
Analysis，简称DMA）是在程序控制温度下，测量物质在振荡负荷下的动态模量或阻尼随温度变化的一种技术。</p>
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高聚物是一种粘弹性物质，因此在交变力的作用下其弹性部分及粘性部分均有各自的反应。而这种反应又随温度的变化而改变。高聚物的动态力学行为能模拟实际使用情况，而且它对玻璃化转变、结晶、交联、相分离以及分子链各层次的运动都十分敏感，所以它是研究高聚物分子运动行为极为有用的方法。</p>
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如果施加在试样上的交变应力为σ，则产生应变为ε。由于高聚物粘弹性的关系其应变将滞后于应力，则ε、σ分别可以下式表示：</p>
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ε=ε0exp(iωt)
(1)</p>
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σ=σ0exp[i（ωt+δ）]
(2)</p>
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式中ε0、σ0分别为最大振幅的应变和应力，ω为交变力的角频率，δ为滞后相位角。</p>
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i=1时，复数模量E*</p>
<p>
E*=
σ/ε=σ0
exp(iδ)/ε0=σ0(cosδ+isinδ)/ε0=E'+E"
(3)</p>
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其中，E'=σ0cosδ/ε0
为实数模量，即模量的储能部分，而</p>
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E"=σ0sinδ/ε0
(4)</p>
<p>
表示与应变相差π/2的虚数模量，是能量的损耗部分。另外还有用内耗因子Q^(-1)或损失角δ正切tanδ来表示损耗，即</p>
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Q^(-1)=tan
δ
=E"/E'
(5)</p>
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[图1、图2
见附图]</p>
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图1为粘弹性物质在正弦交变载荷下的应力、应变的相应关系示意图。因此在程序控温的条件下不断地测定高聚物E’、E”和tanδ值，则可得到如图2所示的动态力学-温度谱。从图中可以看到实数模量E’呈阶梯状下降，而在与阶梯下降相对应的温度区E”和tanδ则出现高峰。表明在这些温度区内高聚物分子运动发生某种转变，即某种运动的解冻。其中对非晶态高聚物而言，最主要的转变当然是玻璃化转变，所以模量明显下降，同时分子链段克服环境粘性运动而消耗能量，从而出现与损耗有关的E”和tanδ高峰。</p>
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‘伍’ 什么是高温介电温谱测量系统
高温介电温谱测量系统是为了满足材料在高温环境下的介电性能测量需求而设计的。它由硬件设备和测量软件组成，包括高温测试平台、高温测试夹具、阻抗分析仪和高温介电测量系统软件四个组成部分。
高温测试平台是为样品提供一个高温环境；高温测试夹具提供待测试样品的测试平台；阻抗分析仪则负责测试各组参数数据。最后，再通过三琦测量软件将这些硬件设备的功能整合在一起，形成一套由实验方案设计到温度控制、参数测量、图形数据显示与数据分析于一体的长沙三琦高温介电温谱测量系统。
可测量陶瓷、薄膜、半导体等块状材料高温介电特性。
可同时测量及输出频率谱、电压谱、偏压谱、温度谱、介电温谱的测量数据与图形。
‘陆’ 怎么用网络分析仪测试芯片的射频性能
有条件的话使用探针台，可以到cascade的官网http://www.cmicro.com/cn看看。另外一个方法就是自己做夹具，将芯片焊在PCB上，然后采用TRL校准，但是对PCB工艺要求极高，国内最高水平就是26.5GHz。当然了，如果对精度要求不太高，就把芯片焊在PCB上，然后把管脚都用同轴接口引出，直接连网络仪测量。
‘柒’ 芯片分析仪器及手段有哪些
芯片分析仪器有： 1 C-SAM（超声波扫描显微镜)，无损检查:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. 德国 2 X－Ray（这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段），德国Feinfocus 微焦点Xray用途：半导体BGA，线路板等内部位移的分析 ；利于判别空焊，虚焊等BGA焊接缺陷.参数：标准检测分辨率＜500纳米 ； 几何放大倍数: 2000 倍 最大放大倍数: 10000倍 ；辐射小: 每小时低于1 μSv ； 电压: 160 KV, 开放式射线管设计 防碰撞设计；BGA和SMT（QFP）自动分析软件，空隙计算软件，通用缺陷自动识别软件和视频记录。这些特点非常适合进行各种二维检测和三维微焦点计算机断层扫描(μCT)应用。 Feinfocus微焦点X射线（德国） Y.COUGAR F/A系列可选配样品旋转360度和倾斜60度装置。 Y.COUGAR SMT 系列配置140度倾斜轴样品，选配360度旋转台 3 SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸）, 日本电子 4 EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测(这三者属于常用漏电流路径分析手段,寻找发热点，LC要借助探针台，示波器） 5 FIB做一些电路修改； 6 Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试，ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试（有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试，有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验）这些已经提到了多数常用手段。失效分析前还有一些必要的样品处理过程，取die,decap（开封，开帽）,研磨,去金球 De-gold bump,去层,染色等，有些也需要相应的仪器机台，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray观察封装内部情况以及分层失效。 除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段，原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF － SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等很多手段，不过这些项目不是很常用。 FA步骤: 2 非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（C-SAM）--看有没delamination，xray--看内部结构，等等； 3 电测：主要工具，万用表，示波器，sony tek370a，现在好象是370b了； 4 破坏性分析：机械decap，化学 decap芯片开封机 半导体器件芯片失效分析 芯片内部分层，孔洞气泡失效分析 C-SAM的叫法很多有，扫描声波显微镜或声扫描显微镜或扫描声学显微镜或超声波扫描显微镜(Scanning acoustic microscope）总概c-sam(sat)测试。 微焦点Xray用途：半导体BGA，线路板等内部位移的分析 ；利于判别空焊，虚焊等BGA焊接缺陷. 参数：标准检测分辨率＜500纳米 ； 几何放大倍数: 2000 倍 最大放大倍数: 10000倍 ；辐射小: 每小时低于1 μSv ； 电压: 160 KV, 开放式射线管设计防碰撞设计；BGA和SMT（QFP）自动分析软件，空隙计算软件，通用缺陷自动识别软件和视频记录。这些特点非常适合进行各种二维检测和三维微焦点计算机断层扫描(μCT)应用。芯片开封机DECAP主要用于芯片开封验证SAM，XRAY的结果。
‘捌’ Cascade探针台的使用技巧，谁知道可以分享下吗
这个探针台已经是业内最好的了，不知道你是测试直流器件还是测试测试射频器件呢？直流如果测试小信号要看您的配置，最小可以到fA基本，一般这种是联合半导体参数分析仪，提取MOS器件参数；如果是高压到10000V的话，Cascade也有应对方案，但是目前都是以垂直器件为主，背面加高电压的方式。如果您是测试射频的话，可以到500G频率，国内现在也有这方面的应用了。
探针台我用的这么多年感觉他其实是一种高精度的夹具，测试部分是要靠仪表实现，所以您说的使用技巧也要看是什么方面的，这个牌子反正我用这么多年没坏过，毕竟第一就是第一，探针这些耗材是需要更换的，我平日会购买他们的清洗片延长射频探针的使用寿命。
不知有没有帮助到你，其实还是要看您的应用来回答您关于使用方面的技巧问题的。加分啊！
‘玖’ Agilent+4156c+怎么测试脉冲输入
摘要 Agilent4156C是基于PC的参数分析和表征的解决方案，标准配置包括一个参数分析仪，Agilent I/CV 3.0 Lite自动测试软件， Windows XP Professional的操作系统。I/CV 3.0 Lite软件可以提供一个图形操作界面，具有强大的分析工具，探针台驱动，和自动测试工具